制造商编号 | TPN8R903NL,LQ |
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制 造 商 | Toshiba(东芝) |
唯样编号 | A36-TPN8R903NL,LQ |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
FET类型 | N-Channel | |
Pd-功率耗散(Max) | 700mW(Ta),22W(Tc) | |
RdsOn(Max)@Id,Vgs | 8.9 毫欧 @ 10A,10V | |
Vgs(th) | 2.3V @ 100uA | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 820 pF @ 15 V | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 9.8 nC @ 4.5 V | |
产品状态 | 在售 | |
封装/外壳 | 8-TSON Advance(3.1x3.1) | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源极电压Vds | 30 V | |
连续漏极电流Id | 20A(Tc) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PXN012-60QLJ | 21,000 |
CQD50N06 | 20,000 |
PMLL4148L,115 | 20,000 |
100N03A | 12,500 |
LN2308LT1G | 12,000 |