| 制造商编号 | TPN8R903NL,LQ |
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| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 唯样编号 | A36-TPN8R903NL,LQ |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 700mW(Ta),22W(Tc) | |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 8.9 毫欧 @ 10A,10V | |
| Vgs(th) | 2.3V @ 100uA | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 820 pF @ 15 V | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 9.8 nC @ 4.5 V | |
| 产品状态 | 在售 | |
| 封装/外壳 | 8-TSON Advance(3.1x3.1) | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源极电压Vds | 30 V | |
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V |
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低损耗，极低的电容值（低至0.05pF）和极严格的电容公差（±0.02pF~±1pF）
单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，用于新兴的宽带隙功率器件驱动
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
频率范围广泛，不同型号覆盖从40MHz~1.8GHz
最大结温高达175°C，极快反向恢复能力
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQD50N06 | 30,000 |
| PMLL4148L,115 | 30,000 |
| LN4501LT1G | 25,700 |
| PXN012-60QLJ | 18,880 |
| 100N03A | 12,500 |
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