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通用MOSFET   8-TSONAdvance(3.1x3.1)

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制造商编号 TPN8R903NL,LQ
制 造 商 Toshiba(东芝)
唯样编号 A36-TPN8R903NL,LQ
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
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商品目录 通用MOSFET
FET类型 N-Channel
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta),22W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 8.9 毫欧 @ 10A,10V
Vgs(th) 2.3V @ 100uA
Vgs(最大值) ±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 820 pF @ 15 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 9.8 nC @ 4.5 V
产品状态 在售
封装/外壳 8-TSON Advance(3.1x3.1)
工作温度 150°C(TJ)
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Id 20A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V
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