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BUK661R9-40C,118  与  IRLS3034TRLPBF  区别

型号 BUK661R9-40C,118 IRLS3034TRLPBF
唯样编号 A-BUK661R9-40C,118 A-IRLS3034TRLPBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLS3034TRLPBF, 343 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.83mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs 2.3V -
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 343A
输入电容 11300pF -
长度 - 10.67mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1.3V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 10315pF @ 25V
高度 - 9.65mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 97 ns
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 306W 375W
输出电容 1447pF -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
Rds On(max)@Id,Vgs 1.9mΩ@10V,3.1mΩ@4.5V,2.6mΩ@5V -
典型接通延迟时间 - 65 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 162nC @ 4.5V
正向跨导 - 286S
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
180+ :  ¥31.2799
400+ :  ¥24.4374
800+ :  ¥20.0307
暂无价格
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¥31.2799 

阶梯数 价格
180: ¥31.2799
400: ¥24.4374
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