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BUK661R9-40C,118  与  IRLS3034PBF  区别

型号 BUK661R9-40C,118 IRLS3034PBF
唯样编号 A-BUK661R9-40C,118 A-IRLS3034PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Single N-Channel 40 V 375 W 108 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.7mΩ@195A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 306W 375W(Tc)
输出电容 1447pF -
栅极电压Vgs 2.3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 343A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
输入电容 11300pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 10315pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 162nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 1.9mΩ@10V,3.1mΩ@4.5V,2.6mΩ@5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 10315pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 162nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
180+ :  ¥31.2799
400+ :  ¥24.4374
800+ :  ¥20.0307
暂无价格
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¥31.2799 

阶梯数 价格
180: ¥31.2799
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