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BUK661R9-40C,118  与  IPB015N04NGATMA1  区别

型号 BUK661R9-40C,118 IPB015N04NGATMA1
唯样编号 A-BUK661R9-40C,118 A-IPB015N04NGATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 250W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 306W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 20000pF @ 20V
输出电容 1447pF -
栅极电压Vgs 2.3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 200uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
输入电容 11300pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.5 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 120A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 1.9mΩ@10V,3.1mΩ@4.5V,2.6mΩ@5V -
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
180+ :  ¥31.2799
400+ :  ¥24.4374
800+ :  ¥20.0307
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK661R9-40C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK661R9-40C_SOT404

¥31.2799 

阶梯数 价格
180: ¥31.2799
400: ¥24.4374
800: ¥20.0307
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