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BSZ0506NSATMA1  与  DMTH3004LPS-13  区别

型号 BSZ0506NSATMA1 DMTH3004LPS-13
唯样编号 A-BSZ0506NSATMA1 A-DMTH3004LPS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON MOSFET N-CH 30V PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),27W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3.2W(Ta),136W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3.8mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V 2370 pF @ 15 V
栅极电压Vgs - +20V,-16V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 43.7 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerTDFN PowerDI5060-8
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id - 22A(Ta),145A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.4 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A(Ta),40A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ0506NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ0506NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
CSD17310Q5A TI  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 21A(Ta),100A(Tc) +10V,-8V 5.1 毫欧 @ 20A,8V -55°C ~ 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥2.8788 

阶梯数 价格
1: ¥2.8788
25: ¥2.4817
35 对比
IRFH7921TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.5mΩ@15A,10V N-Channel 30V 15A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
DMTH3004LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.2W(Ta),136W(Tc) +20V,-16V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 30V 22A(Ta),145A(Tc)

暂无价格 0 对比

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