首页 > 商品目录 > > > > BSZ0506NSATMA1代替型号比较

BSZ0506NSATMA1  与  IRFH7921TRPBF  区别

型号 BSZ0506NSATMA1 IRFH7921TRPBF
唯样编号 A-BSZ0506NSATMA1 A-IRFH7921TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON Single N-Channel 30 V 8.5 mO 14 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),27W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.5mΩ@15A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 8-PowerTDFN PQFN(5x6)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 15A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.4 毫欧 @ 20A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1210pF @ 15V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3.1W(Ta)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1210pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A(Ta),40A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSZ0506NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ0506NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IRFH7921TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.5mΩ@15A,10V N-Channel 30V 15A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
DMTH3004LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.2W(Ta),136W(Tc) +20V,-16V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 30V 22A(Ta),145A(Tc)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消