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BSO130P03SHXUMA1  与  DMG4407SSS-13  区别

型号 BSO130P03SHXUMA1 DMG4407SSS-13
唯样编号 A-BSO130P03SHXUMA1 A36-DMG4407SSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.56W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11mΩ@12A,20V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.45W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3520pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) SO
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 140uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 81nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -50°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 9.9A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2246pF @ 15V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 13 毫欧 @ 11.7A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20.5nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 9.2A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 2,620
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.947
100+ :  ¥1.507
1,250+ :  ¥1.309
2,500+ :  ¥1.232
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暂无价格 0 当前型号
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.947 

阶梯数 价格
30: ¥1.947
100: ¥1.507
1,250: ¥1.309
2,500: ¥1.232
2,620 对比
DMP3020LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOP

¥1.617 

阶梯数 价格
40: ¥1.617
100: ¥1.243
1,250: ¥1.0571
2,500: ¥0.8954
2,500 对比
DMP3020LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

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暂无价格 0 对比
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