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BSO130P03SHXUMA1  与  DMP3020LSS-13  区别

型号 BSO130P03SHXUMA1 DMP3020LSS-13
唯样编号 A-BSO130P03SHXUMA1 A3-DMP3020LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 1.56W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3520pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) SOP
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 140uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 81nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 12A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1802pF @ 15V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 13 毫欧 @ 11.7A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30.7nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 9.2A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSO130P03SHXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO130P03S H_8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)

暂无价格 0 当前型号
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.947 

阶梯数 价格
30: ¥1.947
100: ¥1.507
1,250: ¥1.309
2,500: ¥1.232
2,620 对比
DMP3020LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOP

¥1.617 

阶梯数 价格
40: ¥1.617
100: ¥1.243
1,250: ¥1.0571
2,500: ¥0.8954
2,500 对比
DMP3020LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOP

暂无价格 0 对比
RRH100P03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOP

暂无价格 0 对比
DMP3020LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOP

暂无价格 0 对比

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