制造商编号 | BSO130P03SHXUMA1 |
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商品别名 | BSO130P03S H |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-BSO130P03SHXUMA1 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 9.2A(Ta) | |
FET类型 | P 通道 | |
Vgs(最大值) | ±25V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 13 毫欧 @ 11.7A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 140uA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 3520pF @ 25V | |
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 81nC @ 10V | |
功率耗散(最大值) | 1.56W(Ta) | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:2,500
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交期: 请咨询客服 |
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专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 546,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
AO3400A | 36,010 |
NCEP039N10D | 28,800 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BSO130P03SHXUMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSO130P03S H_8-SOIC(0.154"",3.90mm宽) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
DMG4407SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO |
¥1.947
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2,620 | 对比 | |||||||||||
DMP3020LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOP |
¥1.617
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2,500 | 对比 | |||||||||||
DMP3020LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOP |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
RRH100P03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOP |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
DMP3020LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |