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BSC120N03MSGATMA1  与  BSC120N03LSGATMA1  区别

型号 BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1
唯样编号 A-BSC120N03MSGATMA1 A-BSC120N03LSGATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 15V 1200pF @ 15V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA 2.2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V 15nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 12 毫欧 @ 30A,10V 12 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 11A(Ta),39A(Tc) 12A(Ta),39A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC120N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 当前型号
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阶梯数 价格
90: ¥1.859
100: ¥1.6578
500: ¥1.6482
955 对比
RS1E130GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-HSOP

暂无价格 100 对比
RS1E130GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-HSOP

¥5.8972 

阶梯数 价格
1: ¥5.8972
100: ¥3.4086
1,250: ¥2.161
2,500: ¥1.5624
82 对比
BSC120N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC120N03LS G_8-PowerTDFN

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暂无价格 0 对比

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