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BSC028N06NSATMA1  与  FDMS86500L  区别

型号 BSC028N06NSATMA1 FDMS86500L
唯样编号 A-BSC028N06NSATMA1 A3-FDMS86500L
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),83W(Tc) -
功率 - 2.5W(Ta),104W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.5 毫欧 @ 25A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 30V -
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
封装/外壳 8-PowerTDFN Power
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 25A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.8 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 12530pF @ 30V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta),104W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 50uA -
系列 - PowerTrench®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 30V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 12530pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 165nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 23A(Ta),100A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 165nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC028N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06NS_8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
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8-PowerTDFN

¥1.4442 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.4442
120,000 对比
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DMTH6004LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
FDMS86500L ON Semiconductor 功率MOSFET

8-PowerTDFN Power

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