| 制造商编号 | DMTH6004LPSQ-13 |
|---|---|
| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A-DMTH6004LPSQ-13 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 100A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 47.4nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4515pF @ 30V | |
| 功率 | 2.6W(Ta), 138W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.1 毫欧 @ 25A,10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQD50N06 | 30,000 |
| PMLL4148L,115 | 30,000 |
| LN4501LT1G | 25,700 |
| PXN012-60QLJ | 18,880 |
| 100N03A | 12,500 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMTH6004LPSQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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BSC036NE7NS3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC036NE7NS3 G_8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC031N06NS3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC031N06NS3 G_8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC031N06NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC031N06NS3GATMA1_5.9mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC036NE7NS3 G | Infineon | 功率MOSFET |
BSC036NE7NS3GATMA1_5.9mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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