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BSC028N06NSATMA1  与  DMTH6004LPSQ-13  区别

型号 BSC028N06NSATMA1 DMTH6004LPSQ-13
唯样编号 A-BSC028N06NSATMA1 A-DMTH6004LPSQ-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),83W(Tc) -
功率 - 2.6W(Ta), 138W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.1 毫欧 @ 25A,10V
漏源极电压Vds - 60V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 30V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 50uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 100A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.8 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 23A(Ta),100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 60V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4515pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 47.4nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC028N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06NS_8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
DMTH6004LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

¥1.4442 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.4442
120,000 对比
IRFH7085TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
DMTH6004LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
FDMS86500L ON Semiconductor 功率MOSFET

8-PowerTDFN Power

暂无价格 0 对比
FDMS86500L ON Semiconductor 功率MOSFET

8-PowerTDFN Power

暂无价格 0 对比

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