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AON7408  与  RQ3E100MNTB1  区别

型号 AON7408 RQ3E100MNTB1
唯样编号 A-AON7408 A-RQ3E100MNTB1
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 41 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@10V 8.8mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 17ns
Rds On(Max)@4.5V 32mΩ -
Qg-栅极电荷 - 9.9nC
Qgd(nC) 1.6 -
栅极电压Vgs 20V 2.5V
Td(on)(ns) 4.3 -
封装/外壳 DFN 3x3 EP HSMT-8
连续漏极电流Id 18A 10A
Ciss(pF) 373 -
配置 - Single
下降时间 - 6ns
Schottky Diode No -
Trr(ns) 10.5 -
Td(off)(ns) 15.8 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 11W 2W
Qrr(nC) 4.5 -
VGS(th) 2.6 -
典型关闭延迟时间 - 31ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 7ns
Coss(pF) 67 -
Qg*(nC) 7.1 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 0 当前型号
BSZ040N04LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ040N04LSGATMA1_3.3mm

¥6.7365 

阶梯数 价格
30: ¥6.7365
50: ¥5.9603
100: ¥5.3087
500: ¥5.2991
1,000: ¥5.2895
2,000: ¥5.2608
4,000: ¥5.232
4,950 对比
DMN3024SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
1,000: ¥1.122
1,589 对比
BSZ040N04LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ040N04LS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
DMN3018SFGQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
RQ3E100MNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

暂无价格 0 对比

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