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AON7400B  与  RQ3E150GNTB  区别

型号 AON7400B RQ3E150GNTB
唯样编号 A-AON7400B A3-RQ3E150GNTB
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5 mΩ @ 18A,10V 6.1mΩ@15A,10V
上升时间 - 5.8ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 4.1W(Ta),24W(Tc) 2W
Qg-栅极电荷 - 15.3nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 - 34.4ns
正向跨导 - 最小值 - 13.5S
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-DFN-EP(3x3) HSMT-8
连续漏极电流Id 18A(Ta),40A(Tc) 15A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
栅极电荷Qg 26nC @ 10V -
下降时间 - 7.8ns
典型接通延迟时间 - 11.6ns
库存与单价
库存 0 200
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7400B AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN-EP(3x3)

暂无价格 0 当前型号
RQ3E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥1.9261 

阶梯数 价格
80: ¥1.9261
100: ¥1.7153
500: ¥1.7153
1,000: ¥1.7057
1,428 对比
RQ3E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

暂无价格 200 对比
TPN6R303NC,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-TSONAdvance(3.1x3.1)

暂无价格 0 对比
IRFH8330 Infineon  数据手册 通用MOSFET

PQFN5x6E

暂无价格 0 对比
RQ3E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

暂无价格 0 对比

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