制造商编号 | IRFH8330 |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IRFH8330 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
漏源极电压Vds:30V 封装/外壳:PQFN 5 x 6 E Rds On(Max)@Id,Vgs:9.9mΩ FET类型:N-Channel 栅极电压Vgs:20V
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
Moisture Level | 1 Ohms | |
漏源极电压Vds | 30V | |
封装/外壳 | PQFN 5 x 6 E | |
Tj max | 150.0°C | |
QG | 9.3nC | |
Budgetary Price €/1k | 0.14 | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.9mΩ | |
Ptot max | 35.0W | |
FET类型 | N-Channel | |
Qgd | 2.5nC | |
栅极电压Vgs | 20V | |
Ptot (@ TA=25°C) max | 3.3W | |
Mounting | SMD | |
RthJC max | 3.6K/W | |
连续漏极电流Id | 14A |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQD50N06 | 30,000 |
PMLL4148L,115 | 30,000 |
LN4501LT1G | 25,700 |
PXN012-60QLJ | 18,880 |
100N03A | 12,500 |