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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 15A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | |
| Qg-栅极电荷 | 15.3nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.1mΩ@15A,10V | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 上升时间 | 5.8ns | |
| 下降时间 | 7.8ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 34.4ns | |
| 典型接通延迟时间 | 11.6ns | |
| 封装/外壳 | HSMT-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 正向跨导 - 最小值 | 13.5S | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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RQ3E150GNTB
严选库存：200
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥2.8844 总价：￥173.064 |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：60 | 倍数：1 |
生产年份 : 2022 年
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 288,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,050 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RQ3E150GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
15A 2W 6.1mΩ@15A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.8844
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1,428 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON6368 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 52A 27W 6.1mΩ@10V |
￥2.5385
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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AON6596 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 35A 41W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥2.5128
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2,859 | 对比 | ||||||||||||
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AON7466 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±25V 30A 25W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMTH3004LFGQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2.5W(Ta),50W(Tc) ±16V PowerDI3333-8 -55℃~175℃(TJ) 30V 15A(Ta),75A(Tc) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AON7400B | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A(Ta),40A(Tc) N-Channel ±20V 7.5 mΩ @ 18A,10V 8-DFN-EP(3x3) 4.1W(Ta),24W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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