首页 > 商品目录 > > > > AOB20S60L代替型号比较

AOB20S60L  与  STB20N65M5  区别

型号 AOB20S60L STB20N65M5
唯样编号 A-AOB20S60L A-STB20N65M5
制造商 AOS STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 199mΩ@10A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 266W -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO263 TO-263-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 20A -
系列 AOB -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1038pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19.8nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO263

暂无价格 0 当前型号
STB20N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB27NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB23NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB20N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB60R160C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R160C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售