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AOB20S60L  与  IPB60R160C6ATMA1  区别

型号 AOB20S60L IPB60R160C6ATMA1
唯样编号 A-AOB20S60L A-IPB60R160C6ATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 176W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 199mΩ@10A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 266W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1660pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO263 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 750uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 75nC @ 10V
系列 AOB -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1038pF @ 100V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19.8nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 160 毫欧 @ 11.3A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 23.8A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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IPB60R160C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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