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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 200mA | |
| Pd-功率耗散(Max) | 150mW | |
| Qg-栅极电荷 | 1.4nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.2Ω@200mA,4.5V | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 封装/外壳 | SOT-563-6 | |
| FET类型 | 2P-Channel | |
| 系列 | EM6J1 | |
| 通道数量 | 2Channel | |
| 配置 | Dual | |
| 栅极电压Vgs | ±10V | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 30 + | ￥6.2382 |
| 50 + | ￥3.3826 |
| 100 + | ￥2.434 |
| 500 + | ￥1.8015 |
| 1,000 + | ￥1.6674 |
| 2,000 + | ￥1.5716 |
| 4,000 + | ￥1.4949 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：8,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：30 | 倍数：1 |
生产年份 : 2022 年
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS138LT1G | 120,000 |
| L2SK3018WT1G | 45,000 |
| L2N7002DW1T1G | 30,000 |
| LSI1012XT1G | 20,605 |
| PMV20ENR | 12,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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EM6J1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-563-6 |
￥6.2382
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7,650 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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VT6J1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
VMT-6 |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||
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VT6J1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
VMT-6 |
暂无价格 | 45 | 对比 | ||||||||||||||||
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|
VT6J1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
VMT-6 |
￥1.2396
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0 | 对比 | ||||||||||||||||
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SSM6P36FE,LM | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
ES6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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