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SiC MOSFET   

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制造商编号 SCT3120ALGC11
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A33-SCT3120ALGC11-0
供货 严选
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
SCT3120AL Series 650 V 21 A 156 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
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参数 参数值 操作
商品目录 SiC MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 650V
连续漏极电流Id 21A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 3.33mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 18V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 460pF @ 500V
栅极电压Vgs +22V,-4V
Pd-功率耗散(Max) 103W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 156mΩ@6.7A,18V
工作温度 175°C(TJ)
封装/外壳 TO-247-3
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商品简介

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