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SCT3120ALGC11  与  IPW60R165CP  区别

型号 SCT3120ALGC11 IPW60R165CP
唯样编号 A33-SCT3120ALGC11-0 A-IPW60R165CP
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET 功率MOSFET
描述 SCT3120AL Series 650 V 21 A 156 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 156mΩ@6.7A,18V 165mΩ
栅极电压Vgs +22V,-4V 20V
封装/外壳 TO-247-3 -
连续漏极电流Id 21A(Tc) 21A
工作温度 175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 16.13mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V 10V
下降时间 - 5ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 790µA
高度 - 21.1mm
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 103W(Tc) 192W
典型关闭延迟时间 - 50ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCE
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 3.33mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 460pF @ 500V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 18V -
典型接通延迟时间 - 12ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 52nC @ 10V
库存与单价
库存 266 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
2+ :  ¥92.5181
5+ :  ¥47.1455
10+ :  ¥41.4727
30+ :  ¥37.6876
50+ :  ¥36.9402
60+ :  ¥36.7486
100+ :  ¥36.3653
200+ :  ¥36.0874
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3120ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥92.5181 

阶梯数 价格
2: ¥92.5181
5: ¥47.1455
10: ¥41.4727
30: ¥37.6876
50: ¥36.9402
60: ¥36.7486
100: ¥36.3653
200: ¥36.0874
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暂无价格 0 对比
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