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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | TO-263 | |
FET类型 | P-Channel | |
漏源极电压Vds | -60V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
连续漏极电流Id | -78A | |
Pd-功率耗散(Max) | 187W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 16.5mΩ@-20A,-10V | |
Rds On(Max)@4.5V | 22mΩ | |
VGS(th) | -2.5 | |
Ciss(pF) | 5330 | |
Coss(pF) | 483 | |
Crss(pF) | 234 | |
Qg*(nC) | 40 | |
Qgd(nC) | 18 | |
Td(on)(ns) | 17.5 | |
Td(off)(ns) | 83.5 | |
Trr(ns) | 27 | |
Qrr(nC) | 165 | |
工作温度 | -55℃~175℃ |
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用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 345,000 |
S-LP2408LT1G | 102,105 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
JMPL1050AG-13 | 20,000 |
NCEP092N10AS | 16,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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AOB411L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 P-Channel -60V ±20V -78A 187W 16.5mΩ@-20A,-10V -55℃~175℃ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
![]() |
AOB411L_001 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A(Ta),78A(Tc) P-Channel ±20V 16.5 mΩ @ 20A,10V TO-263(D?Pak) 187W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
![]() |
IRF4905S | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
20mΩ -55V D2PAK (TO-263) P-Channel 20V -74A |
暂无价格 | 0 | 对比 |