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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿晶体管 | |
| FET类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | |
| 电阻器-基底（R1）（欧姆） | 2.2k | |
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | 47K Ohms | |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 80 @ 5mA,10V | |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA,10mA | |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA | |
| 功率 | 1/4W | |
| 封装/外壳 | SC-88 | |
| FET类型 | NPN+PNP | |
| 集电极最大允许电流Ic | 100mA | |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 50V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：100 | 倍数：1 |
生产日期 : 24+
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| BCV61B,215 | 3,000 |
| BCV61,215 | 483 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MUN5335DW1T1G | ON Semiconductor | 达林顿晶体管 |
SC-88 |
￥0.5018
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14,628 | 当前型号 | |||||||||||||
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PUMD10,115 | Nexperia | 数据手册 | 通用三极管 |
PUMD10_SOT-363 |
￥0.8646
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17,472 | 对比 | ||||||||||||
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PUMD10,115 | Nexperia | 数据手册 | 通用三极管 |
PUMD10_SOT-363 |
￥0.3031
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16,460 | 对比 | ||||||||||||
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DCX123JU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用三极管 |
SOT-363 |
￥0.4316
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3,645 | 对比 | ||||||||||||
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PUMD10,125 | Nexperia | 数据手册 | 通用三极管 |
PUMD10_SOT-363 |
￥0.3031
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50 | 对比 | ||||||||||||
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RN4985,LF(CT | Toshiba | 数据手册 | 通用三极管 |
US6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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