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MUN5335DW1T1G  与  DCX123JU-7-F  区别

型号 MUN5335DW1T1G DCX123JU-7-F
唯样编号 A36-MUN5335DW1T1G A36-DCX123JU-7-F
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 达林顿晶体管 通用三极管
描述 DCX123JU Series NPN/PNP 50 V 100 A Dual Transistor Surface Mount - SOT-363-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 - 47k Ohms
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
功率耗散Pd - 200mW
功率 1/4W -
特征频率fT - 250MHz
电阻器-基底(R1)(欧姆) 2.2k -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) 47K Ohms -
集电极-射极饱和电压 - 300mV
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
FET类型 NPN+PNP -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V -
封装/外壳 SC-88 SOT-363
工作温度 - -55℃~150℃
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
集电极连续电流 - 100mA
集电极最大允许电流Ic 100mA -
直流电流增益hFE - 80
集电极-发射极最大电压VCEO - 50V
晶体管类型 - NPN/PNP
R1 - 2.2k Ohms
库存与单价
库存 14,628 3,645
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5018
200+ :  ¥0.325
1,500+ :  ¥0.2821
120+ :  ¥0.4316
200+ :  ¥0.2795
1,500+ :  ¥0.279
3,000+ :  ¥0.2475
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MUN5335DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

SC-88

¥0.5018 

阶梯数 价格
100: ¥0.5018
200: ¥0.325
1,500: ¥0.2821
14,628 当前型号
PUMD10,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD10_SOT-363

¥0.8646 

阶梯数 价格
60: ¥0.8646
200: ¥0.3406
1,500: ¥0.246
3,000: ¥0.1695
17,472 对比
PUMD10,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD10_SOT-363

¥0.3031 

阶梯数 价格
10: ¥0.3031
100: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
16,460 对比
DCX123JU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥0.4316 

阶梯数 价格
120: ¥0.4316
200: ¥0.2795
1,500: ¥0.279
3,000: ¥0.2475
3,645 对比
PUMD10,125 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD10_SOT-363

¥0.3031 

阶梯数 价格
10: ¥0.3031
100: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
50 对比
RN4985,LF(CT Toshiba  数据手册 通用三极管

US6

暂无价格 0 对比

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