| 制造商编号 | CL21A475KBQNNNE |
|---|---|
| 制 造 商 | SAMSUNG(三星) |
| 唯样编号 | A36-CL21A475KBQNNNE |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
温度系数(材质)：X5R 封装/外壳：0805 容值：4.7uF 偏差：±10% 电压：50V
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 贴片MLCC | |
| 温度系数(材质) | X5R | |
| 封装/外壳 | 0805 | |
| 容值 | 4.7uF | |
| 偏差 | ±10% | |
| 电压 | 50V |
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低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
低损耗，极低的电容值（低至0.05pF）和极严格的电容公差（±0.02pF~±1pF）
单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，用于新兴的宽带隙功率器件驱动
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
频率范围广泛，不同型号覆盖从40MHz~1.8GHz
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CC0201BRNPO8BN1R0 | 14,655,000 |
| CC0201CRNPO8BN3R3 | 12,435,000 |
| CC0201KRX5R5BB473 | 9,945,600 |
| CC0201CRNPO8BN5R0 | 5,550,200 |
| CC0402KRX7R7BB103 | 5,490,600 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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CL21A475KBQNNNE | Samsung Electro-Mechanics | 数据手册 | 贴片MLCC |
0805 4.7uF ±10% 50V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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GRM21BR61H475KE51L | Murata | 数据手册 | 贴片MLCC |
2mm 0805 4.7uF ±10% 50V 1.25mm |
￥0.2242
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181,186 | 对比 | ||||
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GRM21BR61H475KE51L | Murata | 数据手册 | 贴片MLCC |
2mm 0805 4.7uF ±10% 50V 1.25mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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