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RQ3E150GNTB  与  AON6596  区别

型号 RQ3E150GNTB AON6596
唯样编号 A33-RQ3E150GNTB A-AON6596
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.1mΩ@15A,10V 7.5mΩ@20A,10V
上升时间 5.8ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 41W
Qg-栅极电荷 15.3nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 34.4ns -
正向跨导 - 最小值 13.5S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 DFN 5x6
连续漏极电流Id 15A 35A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 1Channel -
配置 Single -
下降时间 7.8ns -
典型接通延迟时间 11.6ns -
库存与单价
库存 1,449 2,859
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税)
80+ :  ¥1.9261
100+ :  ¥1.7153
500+ :  ¥1.7153
1,000+ :  ¥1.7057
1+ :  ¥2.5128
100+ :  ¥2
1,000+ :  ¥1.4412
1,500+ :  ¥1.2405
3,000+ :  ¥0.98
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E150GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥1.9261 

阶梯数 价格
80: ¥1.9261
100: ¥1.7153
500: ¥1.7153
1,000: ¥1.7057
1,449 当前型号
AON6368 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥2.5385 

阶梯数 价格
1: ¥2.5385
100: ¥2.0204
1,000: ¥1.4559
1,500: ¥1.2532
3,000: ¥0.99
3,000 对比
AON6596 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
1,500: ¥1.2405
3,000: ¥0.98
2,859 对比
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