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功率MOSFET   TO-220-3

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图片丝印不一定为本产品

制造商编号 R6030MNX
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A33-R6030MNX-0
供货
产品周期

量产中(新设计非推荐)

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):90W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:150mΩ@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
栅极电压Vgs ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2180pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 90W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ@15A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 TO-220-3
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 600V
连续漏极电流Id 30A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 43nC @ 10V
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库存 :  500

价格梯度 单价(含税)
5+ ¥33.1168
10+ ¥27.1566
50+ ¥21.503
100+ ¥20.4297

整包(请按500的倍数下单)

500+ ¥19.0307
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:500 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3周-4周
起订量:5 倍数:1

特殊说明

生产年份  :  2022 年

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¥33.1168 

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