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功率MOSFET   TO-220FP

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制造商编号 STF26NM60N
制 造 商 ST(意法半导体)
唯样编号 A-STF26NM60N
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):35W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:165mΩ@10A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220FP
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
系列 MDmesh™ II
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V
栅极电压Vgs ±30V
Pd-功率耗散(Max) 35W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 TO-220FP
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 600V
连续漏极电流Id 20A
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