| 制造商编号 | DMN2058U-7 |
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| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A3-DMN2058U-7 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
栅极电压Vgs：±12V Pd-功率耗散(Max)：1.13W 工作温度：-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳：SOT-23-3 FET类型：N-Channel
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7.7nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 281pF @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.13W | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 4.6A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7.7nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 281pF @ 10V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 35mΩ@6A,10V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 起订量：3,000 | 倍数：1 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 546,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| AO3400A | 36,010 |
| NCEP039N10D | 28,800 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DMN2058U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.4088
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 120,000 | 对比 | ||||||||||||
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DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.4732
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23,450 | 对比 | ||||||||||||
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DMN2058U-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.6292
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8,820 | 对比 | ||||||||||||
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DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMN2058U-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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