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DMN2058U-7  与  DMG3420U-7  区别

型号 DMN2058U-7 DMG3420U-7
唯样编号 A3-DMN2058U-7 A36-DMG3420U-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 35mΩ@6A,10V 29mΩ@6A,10V
正向跨导-最小值 - 9 S
上升时间 - 8.3ns
Qg-栅极电荷 - 5.4nC
栅极电压Vgs ±12V ±12V
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.6A(Ta) 5.47A
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,10V 1.8V,10V
下降时间 - 5.3ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 281pF @ 10V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.13W 740mW
典型关闭延迟时间 - 21.6ns
FET类型 N-Channel -
系列 - DMG3420
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 281pF @ 10V 434.7pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7nC @ 10V 5.4nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 6.5ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 23,450
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.4088
15,000+ :  ¥0.3785
110+ :  ¥0.4732
200+ :  ¥0.3055
1,500+ :  ¥0.2665
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2058U-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

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3,000: ¥0.4088
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DMG3420U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

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¥0.4732 

阶梯数 价格
110: ¥0.4732
200: ¥0.3055
1,500: ¥0.2665
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80: ¥0.6292
100: ¥0.5122
500: ¥0.4654
2,500: ¥0.4316
5,000: ¥0.4043
8,820 对比
DMG3420U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
DMN2058U-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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