| 制造商编号 | DMN80H2D0SCTI |
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| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A3-DMN80H2D0SCTI |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
工作温度：-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳：TO-220-3 连续漏极电流Id：7A Pd-功率耗散(Max)：41W Rds On(Max)@Id,Vgs：1.4Ω
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35.4nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1253pF @ 25V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | |
| 连续漏极电流Id | 7A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 41W | |
| Qg-栅极电荷 | 35.4nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.4Ω | |
| 漏源极电压Vds | 800V | |
| 栅极电压Vgs | 2V | |
| 上升时间 | 35.8ns | |
| 下降时间 | 42.6ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 104ns | |
| 典型接通延迟时间 | 20.5ns | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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