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功率MOSFET   6.5mm

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制造商编号 IPD35N10S3L-26
商品别名 IPD35N10S3L26ATMA1
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IPD35N10S3L-26
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:35A Rds On(Max)@Id,Vgs:24mΩ 栅极电压Vgs:10V Pd-功率耗散(Max):71W
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
通道数量 1Channel
漏源极电压Vds 100V
连续漏极电流Id 35A
Rds On(Max)@Id,Vgs 24mΩ
栅极电压Vgs 10V
Qg-栅极电荷 30nC
配置 Single
Pd-功率耗散(Max) 71W
高度 2.3mm
长度 6.5mm
系列 OptiMOS-T
FET类型 N-Channel
宽度 6.22mm
下降时间 3ns
上升时间 4ns
典型关闭延迟时间 18ns
典型接通延迟时间 6ns
工作温度 -55°C~175°C
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