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功率MOSFET   5.9mm PG-TDSON-8-7

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制造商编号 BSC098N10NS5
商品别名 BSC098N10NS5ATMA1
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-BSC098N10NS5
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
系列:OptiMOS™
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
通道数量 1Channel
漏源极电压Vds 100V
连续漏极电流Id 60A
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.8mΩ@30A,10V
栅极电压Vgs ±20V
Qg-栅极电荷 22nC
Pd-功率耗散(Max) 69W
高度 1.27mm
长度 5.9mm
FET类型 N-Channel
宽度 5.15mm
正向跨导 - 最小值 28S
下降时间 4ns
上升时间 5ns
典型关闭延迟时间 17ns
典型接通延迟时间 10ns
工作温度 -55°C~150°C
封装/外壳 PG-TDSON-8-7
系列 OptiMOS™
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