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功率MOSFET   5.9mm

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制造商编号 BSC360N15NS3 G
商品别名 BSC360N15NS3GATMA1
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-BSC360N15NS3 G
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:33A Rds On(Max)@Id,Vgs:36mΩ 栅极电压Vgs:20V Pd-功率耗散(Max):74W
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
通道数量 1Channel
漏源极电压Vds 150V
连续漏极电流Id 33A
Rds On(Max)@Id,Vgs 36mΩ
栅极电压Vgs 20V
Qg-栅极电荷 12nC
配置 Single
Pd-功率耗散(Max) 74W
高度 1.27mm
长度 5.9mm
系列 OptiMOS3
FET类型 N-Channel
宽度 5.15mm
下降时间 4ns
上升时间 6ns
典型关闭延迟时间 12ns
典型接通延迟时间 9ns
工作温度 -55°C~150°C
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