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功率MOSFET   5.9mm

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制造商编号 BSC160N10NS3 G
商品别名 BSC160N10NS3GATMA1
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-BSC160N10NS3 G
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:42A Rds On(Max)@Id,Vgs:13.9mΩ 栅极电压Vgs:20V Pd-功率耗散(Max):60W
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
通道数量 1Channel
漏源极电压Vds 100V
连续漏极电流Id 42A
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.9mΩ
栅极电压Vgs 20V
Qg-栅极电荷 25nC
配置 Single
Pd-功率耗散(Max) 60W
高度 1.27mm
长度 5.9mm
系列 OptiMOS3
FET类型 N-Channel
宽度 5.15mm
正向跨导 - 最小值 21S
下降时间 5ns
上升时间 15ns
典型关闭延迟时间 22ns
典型接通延迟时间 13ns
工作温度 -55°C~150°C
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