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品牌介绍

      半导体对于应对当今时代的能源挑战和塑造数字化转型至关重要。正因如此,英飞凌致力于积极推动低碳化和数字化进程。作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者,我们助力打造引发行业变革的解决方案,以实现绿色高效的能源、环保安全的出行以及智能安全的物联网。我们让生活更加便利、安全和环保。携手我们的客户和合作伙伴,共同创造更加美好的未来。
      英飞凌设计、研发、生产并销售范围广泛的半导体和基于半导体的解决方案,聚焦汽车、工业和消费电子等行业的关键市场。其产品多种多样,从标准元器件,到面向数字、模拟和混合信号应用的特殊元器件,再到专为客户打造的特定解决方案以及适当软件,应有尽有。

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商品
描述
关键参数
单价(含税)
库存

封装/外壳 : PG-TSNP-6

库存:15,000

客服询价

MPQ:15,000

交期:3天-5天

射频放大器

Silicon Germanium Low Noise Amplifier for Global Navigation Satellite Systems (GNSS)

封装/外壳 : TSNP-6-2/TSNP-6-10

1+:¥2.0500
100+:¥1.5089
500+:¥1.2368
1,000+:¥1.0307

库存:13,000

MPQ:12,000

交期:3天-5天

封装/外壳 : PG-TSLP-7

库存:7,500

客服询价

MPQ:7,500

交期:3天-5天

功率MOSFET

TDSON-8-1 N-Channel -55°C~150°C ±20V 150V 50A 19mΩ@50A,10V 125W

封装/外壳 : TDSON-8-1

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 150V

连续漏极电流Id : 50A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 19mΩ@50A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 125W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

功率MOSFET

N-Channel -55°C~150°C 20V 100V 42A 13.9mΩ 60W

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : 20V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 42A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 13.9mΩ

Pd-功率耗散(Max) : 60W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSZ019N03LS
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : PG-TSDSON-8-FL

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 149A

Pd-功率耗散(Max) : 69W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.9mΩ@20A,10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

功率MOSFET

系列:OptiMOS™

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : 20V

漏源极电压Vds : 200V

连续漏极电流Id : 7A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 194mΩ

Pd-功率耗散(Max) : 34W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSZ039N06NS
自营
功率MOSFET

MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON

封装/外壳 : PG-TSDSON-8-34

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSC040N10NS5
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : PG-TDSON-8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 100A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 4mΩ@50A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 139W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSC014N04LS
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : SuperSO8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 100A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.4mΩ@50A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 96W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSC010N04LS
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : PG-TDSON-8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 100A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1mΩ@50A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 139W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSC030N08NS5
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : SuperSO8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 80V

连续漏极电流Id : 161A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 3mΩ

Pd-功率耗散(Max) : 139.0W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSC034N06NS
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : PG-TDSON-8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 100A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 3.4mΩ@50A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 74W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSC093N15NS5
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : SuperSO8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 150V

连续漏极电流Id : 87A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 9.3mΩ@44A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 139W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

功率MOSFET

TDSON-8-5 N-Channel -55°C~150°C ±20V 80V 23A 34mΩ@12A,10V 32W

封装/外壳 : TDSON-8-5

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 80V

连续漏极电流Id : 23A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 34mΩ@12A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 32W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSC035N10NS5
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : 8-PowerTDFN

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 100A

Pd-功率耗散(Max) : 156W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 3.5mΩ@50A,10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

ISC011N03L5S
自营
功率MOSFET

PG-TDSON-8-1 N-Channel -55℃~150℃ ±20V 30V 100A 1.1mΩ@30A,10V 96W

封装/外壳 : PG-TDSON-8-1

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 100A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.1mΩ@30A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 96W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

ISC080N10NM6
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™ OptiMOS TM6 Power-Transistor,100V

封装/外壳 : PG-TDSON-8 FL

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

ISC130N20NM6
自营
功率MOSFET

PG-TSON-8-3 N-Channel -55℃~175℃ ±20V 200V 88A 242W 11.7mΩ@ 50A,15V

封装/外壳 : PG-TSON-8-3

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~175℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 200V

连续漏极电流Id : 88A

Pd-功率耗散(Max) : 242W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 11.7mΩ@ 50A,15V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSZ0904NSI
自营
功率MOSFET

N-Channel -55°C~150°C 20V 30V 40A 3.3mΩ 37W

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : 20V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 40A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 3.3mΩ

Pd-功率耗散(Max) : 37W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

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