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功率MOSFET   PG-TDSON-8 5.9mm

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制造商编号 BSC040N10NS5
商品别名 BSC040N10NS5ATMA1
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-BSC040N10NS5
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
系列:OptiMOS™
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商品目录 功率MOSFET
封装/外壳 PG-TDSON-8
通道数量 1Channel
漏源极电压Vds 100V
连续漏极电流Id 100A
Rds On(Max)@Id,Vgs 4mΩ@50A,10V
栅极电压Vgs ±20V
Qg-栅极电荷 58nC
配置 SingleQuadDrainTripleSource
Pd-功率耗散(Max) 139W
高度 1.27mm
长度 5.9mm
FET类型 N-Channel
宽度 5.15mm
正向跨导 - 最小值 60S
开发套件 EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
下降时间 10ns
上升时间 9ns
典型关闭延迟时间 32ns
典型接通延迟时间 13ns
工作温度 -55°C~150°C
系列 OptiMOS™
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