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IRFL014NTRPBF  与  BUK78150-55A/CUX  区别

型号 IRFL014NTRPBF BUK78150-55A/CUX
唯样编号 A36-IRFL014NTRPBF A-BUK78150-55A/CUX
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 2.1 W 7 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223 MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 160mΩ@1.9A,10V -
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 8W
输出电容 - 54pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150℃
连续漏极电流Id 2.7A 5.5A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 190pF @ 25V -
输入电容 - 170pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 150mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 190pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,772 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.387
100+ :  ¥1.837
1,250+ :  ¥1.606
260+ :  ¥1.1198
500+ :  ¥0.949
1,000+ :  ¥0.8706
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFL014NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

¥2.387 

阶梯数 价格
30: ¥2.387
100: ¥1.837
1,250: ¥1.606
1,772 当前型号
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

暂无价格 24,000 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

¥2.398 

阶梯数 价格
30: ¥2.398
100: ¥1.914
1,000: ¥1.716
2,000: ¥1.617
3,499 对比
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

¥0.9944 

阶梯数 价格
60: ¥0.9944
200: ¥0.6864
1,905 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

暂无价格 0 对比
BUK78150-55A/CUX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK78150-55A/CU_SOT223

¥1.1198 

阶梯数 价格
260: ¥1.1198
500: ¥0.949
1,000: ¥0.8706
0 对比

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