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IRFL014NTRPBF  与  DMN6068SE-13  区别

型号 IRFL014NTRPBF DMN6068SE-13
唯样编号 A36-IRFL014NTRPBF A3-DMN6068SE-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 2.1 W 7 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223 N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 160mΩ@1.9A,10V 68mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.7A 5.6A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 190pF @ 25V 502pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 10V 10.3nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 190pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,772 24,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.387
100+ :  ¥1.837
1,250+ :  ¥1.606
暂无价格
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¥2.387 

阶梯数 价格
30: ¥2.387
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1,250: ¥1.606
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阶梯数 价格
30: ¥2.398
100: ¥1.914
1,000: ¥1.716
2,000: ¥1.617
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60: ¥0.9944
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