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RQ3E120ATTB  与  AON6413_101  区别

型号 RQ3E120ATTB AON6413_101
唯样编号 A3-RQ3E120ATTB A-AON6413_101
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 2.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@-12A,-10V 8.5 mΩ @ 16A,10V
上升时间 30ns -
Qg-栅极电荷 62nC -
栅极电压Vgs ±20V ±25V
封装/外壳 HSMT 8-DFN-EP(5x6)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 12A 22A(Ta),32A(Tc)
配置 Single -
长度 3mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 95ns -
高度 0.85mm -
漏源极电压Vds 39V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 6.2W(Ta),48W(Tc)
典型关闭延迟时间 140ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 RQ -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 62nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 58nC @ 10V
典型接通延迟时间 20ns -
库存与单价
库存 200 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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