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功率MOSFET   HSMT 3mm

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制造商编号 RQ3E120ATTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A3-RQ3E120ATTB
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:HSMT 连续漏极电流Id:12A Pd-功率耗散(Max):2W Rds On(Max)@Id,Vgs:8mΩ@-12A,-10V
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
系列 RQ
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 62nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 HSMT
连续漏极电流Id 12A
Pd-功率耗散(Max) 2W
Qg-栅极电荷 62nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@-12A,-10V
漏源极电压Vds 39V
栅极电压Vgs ±20V
上升时间 30ns
下降时间 95ns
典型关闭延迟时间 140ns
典型接通延迟时间 20ns
宽度 2.4mm
FET类型 P-Channel
通道数量 1Channel
配置 Single
长度 3mm
高度 0.85mm
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