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SQ2310ES-T1_GE3  与  RUR040N02TL  区别

型号 SQ2310ES-T1_GE3 RUR040N02TL
唯样编号 A-SQ2310ES-T1_GE3 A3x-RUR040N02TL
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@5A,4.5V 35mΩ@4A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SC-96
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6A(Tc) 4A(Ta)
系列 SQ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 485pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V 1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1.3V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 485pF @ 10V 680pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V 8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 17 15,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
3,000+ :  ¥1.0385
3,000+ :  ¥0.88
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQ2310ES-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

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3,000: ¥1.0385
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¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
8,830 对比

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