首页 > 商品目录 > > > > SQ2310ES-T1_GE3代替型号比较

SQ2310ES-T1_GE3  与  DMG3420U-7  区别

型号 SQ2310ES-T1_GE3 DMG3420U-7
唯样编号 A-SQ2310ES-T1_GE3 A3-DMG3420U-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@5A,4.5V 29mΩ@6A,10V
正向跨导-最小值 - 9 S
上升时间 - 8.3ns
Qg-栅极电荷 - 5.4nC
栅极电压Vgs ±8V ±12V
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6A(Tc) 5.47A
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V 1.8V,10V
下降时间 - 5.3ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 485pF @ 10V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc) 740mW
典型关闭延迟时间 - 21.6ns
FET类型 N-Channel -
系列 SQ DMG3420
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 485pF @ 10V 434.7pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V 5.4nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 6.5ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 3,000 162,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
3,000+ :  ¥1.0385
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQ2310ES-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥1.0385 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.0385
3,000 当前型号
DMG3420U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 162,000 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
19,416 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
8,840 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥0.8492 

阶梯数 价格
60: ¥0.8492
200: ¥0.5852
8,371 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售