首页 > 商品目录 > > > > SQM100N10-10_GE3代替型号比较

SQM100N10-10_GE3  与  PSMN9R5-100BS,118  区别

型号 SQM100N10-10_GE3 PSMN9R5-100BS,118
唯样编号 A-SQM100N10-10_GE3 A-PSMN9R5-100BS,118
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 375W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5 毫欧 @ 30A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) - 211W
输出电容 - 302pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB SOT404
连续漏极电流Id 100A(Tc) 89A
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
输入电容 - 4454pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 9.6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8050pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 185nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥8.9212
400+ :  ¥7.5603
800+ :  ¥6.9361
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQM100N10-10_GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

TO-263(D2Pak) TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-100B_SOT404

¥29.6007 

阶梯数 价格
180: ¥29.6007
400: ¥23.1256
800: ¥18.9554
0 对比
BUK9610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9610-100B_SOT404

¥26.0118 

阶梯数 价格
170: ¥26.0118
400: ¥19.5578
800: ¥16.0309
0 对比
BUK9611-80E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9611-80E_SOT404

¥9.1806 

阶梯数 价格
210: ¥9.1806
400: ¥7.7802
800: ¥7.1378
0 对比
PSMN9R5-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN9R5-100BS_SOT404

¥8.9212 

阶梯数 价格
210: ¥8.9212
400: ¥7.5603
800: ¥6.9361
0 对比
AOB418L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售