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通用MOSFET   TO-263(D2Pak) TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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制造商编号 SQM100N10-10_GE3
制 造 商 Vishay(威世)
唯样编号 A-SQM100N10-10_GE3
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N-Channel 100V 100A(Tc) ±20V 10.5 毫欧 @ 30A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-263(D2Pak) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 100V
连续漏极电流Id 100A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 185nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8050pF @ 25V
功率 375W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5 毫欧 @ 30A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳 TO-263(D2Pak)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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