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SQD50N04-5M6_GE3  与  DMTH4007LK3-13  区别

型号 SQD50N04-5M6_GE3 DMTH4007LK3-13
唯样编号 A-SQD50N04-5M6_GE3 A-DMTH4007LK3-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.6mΩ@20A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 71W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak,SC-63 DPAK
连续漏极电流Id 50A(Tc) 16.8A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 85nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD50N04-5M6_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak,SC-63

暂无价格 0 当前型号
DMTH4007LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD050N03LGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD050N03L G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD050N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD050N03LGATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S4L-08_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD50N04S4L-08 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S4L08ATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

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