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RUR040N02TL  与  DMN2075U-7  区别

型号 RUR040N02TL DMN2075U-7
唯样编号 A3x-RUR040N02TL A36-DMN2075U-7-1
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 45 mOhm 7 nC 0.8 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 35mΩ@4A,4.5V 25mΩ
上升时间 - 9.8ns
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 800mW
栅极电压Vgs ±10V 8V
典型关闭延迟时间 - 28.1ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SC-96 SOT-23
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A(Ta) 4.2A
系列 - DMN2075
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 594.3pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 - 6.7ns
典型接通延迟时间 - 7.4ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 15,000 24,653
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.88
120+ :  ¥0.4248
200+ :  ¥0.2738
3,000+ :  ¥0.243
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 当前型号
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.4056 

阶梯数 价格
130: ¥0.4056
200: ¥0.2613
3,000: ¥0.2325
145,448 对比
DMG3420U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 120,000 对比
AO3416 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.7304 

阶梯数 价格
70: ¥0.7304
200: ¥0.5564
1,500: ¥0.4849
3,000: ¥0.429
43,591 对比
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.4248 

阶梯数 价格
120: ¥0.4248
200: ¥0.2738
3,000: ¥0.243
24,653 对比
DMG3420U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.4732 

阶梯数 价格
110: ¥0.4732
200: ¥0.3055
1,500: ¥0.2665
23,450 对比

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