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RUR040N02TL  与  DMG2302U-7  区别

型号 RUR040N02TL DMG2302U-7
唯样编号 A3x-RUR040N02TL A36-DMG2302U-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 20 V 90 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet -SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 35mΩ@4A,4.5V 90mΩ@3.6A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 800mW(Ta)
栅极电压Vgs ±10V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SC-96 SOT-23
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A(Ta) 4.2A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 594.3pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V 2.5V,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 15,000 115,495
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.88
130+ :  ¥0.3926
200+ :  ¥0.2925
1,500+ :  ¥0.255
3,000+ :  ¥0.225
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta)

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 当前型号
DMG3420U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5.47A 740mW 29mΩ@6A,10V 20V ±12V

暂无价格 120,000 对比
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

¥0.3926 

阶梯数 价格
130: ¥0.3926
200: ¥0.2925
1,500: ¥0.255
3,000: ¥0.225
115,495 对比
AO3414 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C

¥0.572 

阶梯数 价格
90: ¥0.572
200: ¥0.4368
1,500: ¥0.3796
3,000: ¥0.3354
45,767 对比
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 800mW 25mΩ 20V 8V

¥0.4131 

阶梯数 价格
130: ¥0.4131
200: ¥0.2656
3,000: ¥0.2363
22,453 对比
AO3416 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 6.5A 1.4W 22mΩ@6.5A,4.5V -55°C~150°C

¥0.7084 

阶梯数 价格
80: ¥0.7084
200: ¥0.5408
1,500: ¥0.4706
3,000: ¥0.416
21,461 对比

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