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RQ3E100MNTB1  与  AON7430  区别

型号 RQ3E100MNTB1 AON7430
唯样编号 A3x-RQ3E100MNTB1 A36-AON7430
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ 12mΩ@20A,10V
上升时间 17ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 23W
Qg-栅极电荷 9.9nC -
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
典型关闭延迟时间 31ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 10A 34A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 1Channel -
配置 Single -
下降时间 6ns -
典型接通延迟时间 7ns -
库存与单价
库存 0 3,982
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.419
100+ :  ¥1.0923
1,250+ :  ¥0.9097
2,500+ :  ¥0.8283
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E100MNTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

暂无价格 0 当前型号
AON7430 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.419 

阶梯数 价格
40: ¥1.419
100: ¥1.0923
1,250: ¥0.9097
2,500: ¥0.8283
3,982 对比
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥0.682 

阶梯数 价格
80: ¥0.682
500: ¥0.5759
906 对比
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